作用： 氧化锡是ITO靶材的关键成分之一（通常占10%），它与氧化铟（In₂O₃）烧结成靶材，用于溅射透明导电薄膜层。 纯度和粒度： 纯度：通常要求4N（99.99%）以上，高端应用则需要5N（99.999%）。 粒度：纳米级（20-100nm），以确保溅射形成的薄膜具有均匀的导电率和透光率。
